नानजिंग वासिन फुजिकुरा उच्च तापमान प्रतिरोधक ऑप्टिकल फायबरमध्ये चांगले ऑप्टिकल गुणधर्म, उत्कृष्ट गतिमान थकवा गुणधर्म आणि उच्च तापमान परिस्थितीत उच्च तन्य शक्ती असते. वासिन फुजिकुरामध्ये २०० अंश आणि ३५० अंशांवर उच्च तापमान प्रतिरोधक तंतूंच्या दोन मालिका आहेत.
► उच्च तापमानात चांगली कामगिरी
► तीव्र कमी-तापमान आणि उच्च तापमानाच्या सतत चक्रात (-५५°C ते ३००°C पर्यंत) स्थिरता कामगिरी.
► कमी नुकसान, रुंद बँड (जवळपास अल्ट्राव्हायोलेट ते जवळपास इन्फ्रारेड बँड, ४०० एनएम ते १६०० एनएम)
► ऑप्टिकल नुकसान क्षमतेला चांगला प्रतिकार
► १०० केपीएसआय ताकद पातळी
► प्रक्रिया लवचिक आहे आणि वेगवेगळ्या भूमिती, फायबर प्रोफाइल स्ट्रक्चर, NA इत्यादी सानुकूलित केली जाऊ शकते.
कोटिंग म्हणून पॉलीअॅक्रेलिक रेझिन | |||
पॅरामीटर | एचटीएमएफ | एचटीएचएफ | एचटीएसएफ |
क्लॅडिंग व्यास (उमेर) | ५०±२.५ | ६२.५±२.५ | - |
क्लॅडिंग व्यास (उमेर) | १२५±१.० | १२५±१.० | १२५±१.० |
क्लॅडिंगची वर्तुळाकारता (%) | ≤१ | ≤१ | ≤१ |
गाभा / क्लॅडिंगची एकाग्रता (उम) | ≤२ | ≤२ | ≤०.८ |
कोटिंग व्यास (उमेर) | २४५±१० | २४५±१० | २४५±१० |
कोटिंग / क्लॅडिंगची एकाग्रता (उम) | ≤१२ | ≤१२ | ≤१२ |
न्यूमेरिकल एपर्चर (NA) | ०.२००±०.०१५ | ०.२७५±०.०१५ | - |
मोड फील्ड व्यास (um) @१३१०nm | - | - | ९.२±०.४ |
मोड फील्ड व्यास (um) @१५५०nm | - | - | १०.४±०.८ |
बँडविड्थ (MHz.km) @८५०nm | ≥३०० | ≥१६० | - |
बँडविड्थ (MHz.km) @१३००nm | ≥३०० | ≥३०० | - |
प्रूफ टीट लेव्हल (केपीएसआय) | १०० | १०० | १०० |
ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी (°C) | -५५ ते +२०० | -५५ ते +२०० | -५५ ते +२०० |
अल्पकालीन (°C) (दोन दिवसांत) | २०० | २०० | २०० |
दीर्घकालीन (°C) | १५० | १५० | १५० |
क्षीणन (dB/किमी) @१५५०nm | - | - | ≤०.२५ |
क्षीणन (dB/किमी) | ≤०.७ @१३०० एनएम | ≤०.८ @१३०० एनएम | ≤०.३५@१३१० एनएम |
क्षीणन (dB/किमी) @८५०nm | ≤२.८ | ≤३.० | - |
कटऑफ तरंगलांबी | - | - | ≤ १२९० एनएम |
लेप म्हणून पॉलिमाइड | |||
पॅरामीटर | एचटीएमएफ | एचटीएचएफ | एचटीएसएफ |
क्लॅडिंग व्यास (उमेर) | ५०±२.५ | ६२.५±२.५ | - |
क्लॅडिंग व्यास (उमेर) | १२५±१.० | १२५±१.० | १२५±१.० |
क्लॅडिंगची वर्तुळाकारता (%) | ≤१ | ≤१ | ≤१ |
गाभा / क्लॅडिंगची एकाग्रता (उम) | ≤२.० | ≤२.० | ≤०.८ |
कोटिंग व्यास (उमेर) | १५५±१५ | १५५±१५ | १५५±१५ |
कोटिंग / क्लॅडिंगची एकाग्रता (उम) | 10 | 10 | 10 |
न्यूमेरिकल एपर्चर (NA) | ०.२००±०.०१५ | ०.२७५±०.०१५ | - |
मोड फील्ड व्यास (um) @१३१०nm | - | - | ९.२±०.४ |
मोड फील्ड व्यास (um) @१५५०nm | - | - | १०.४±०.८ |
बँडविड्थ (MHz.km) @८५०nm | ≥३०० | ≥१६० | - |
बँडविड्थ (MHz.km) @१३००nm | ≥३०० | ≥३०० | - |
प्रूफ टीट लेव्हल (केपीएसआय) | १०० | १०० | १०० |
ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी (°C) | -५५ ते+३५० | -५५ ते+३५० | -५५ ते+३५० |
अल्पकालीन (°C) (दोन दिवसांत) | ३५० | ३५० | ३५० |
दीर्घकालीन (°C) | ३०० | ३०० | ३०० |
क्षीणन (dB/किमी) @१५५०nm | - | - | ०.२७ |
क्षीणन (dB/किमी) | ≤१.२ @१३०० एनएम | ≤१.४@१३००नॅनोमीटर | ≤०.४५@१३१० एनएम |
क्षीणन (dB/किमी) @८५०nm | ≤३.२ | ≤३.७ | - |
कटऑफ तरंगलांबी | - | - | ≤१२९० एनएम |
अॅटेन्युएशन चाचणी, ३५ सेमी बाय १ ~ २ ग्रॅम टेन्शनपेक्षा जास्त व्यास असलेल्या डिस्कवर फायबर वाइंड करणे