स्पेसिकल ऑप्टिकल फायबर- वासिन फुजिकुरा उच्च तापमान प्रतिरोधक ऑप्टिकल फायबर वासिन फुजिकुरा

संक्षिप्त वर्णन:

नानजिंग वासिन फुजिकुरा उच्च तापमान प्रतिरोधक ऑप्टिकल फायबरमध्ये चांगले ऑप्टिकल गुणधर्म, उत्कृष्ट डायनॅमिक थकवा गुणधर्म आणि उच्च तापमानाच्या परिस्थितीत उच्च तन्य शक्ती आहे. वासिन फुजिकुरामध्ये उच्च तापमान प्रतिरोधक तंतूंच्या दोन मालिका आहेत, 200 अंश आणि 350 अंशांवर.


उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

नानजिंग वासिन फुजिकुरा उच्च तापमान प्रतिरोधक ऑप्टिकल फायबरमध्ये चांगले ऑप्टिकल गुणधर्म, उत्कृष्ट डायनॅमिक थकवा गुणधर्म आणि उच्च तापमानाच्या परिस्थितीत उच्च तन्य शक्ती आहे. वासिन फुजिकुरामध्ये उच्च तापमान प्रतिरोधक तंतूंच्या दोन मालिका आहेत, 200 अंश आणि 350 अंशांवर.

वैशिष्ट्य

► चांगली उच्च तापमान कामगिरी
► तीव्र कमी-तापमान आणि उच्च तापमानाच्या सतत चक्रात स्थिरता कामगिरी (-55 ° से 300 ° से पर्यंत खाली)
► कमी नुकसान, रुंद बँड (अल्ट्राव्हायोलेटपासून जवळच्या इन्फ्रारेड बँडपर्यंत, 400nm ते 1600nm)
► ऑप्टिकल नुकसान क्षमतेस चांगला प्रतिकार
► 100KPSI सामर्थ्य पातळी
► प्रक्रिया लवचिक आहे आणि भिन्न भूमिती, फायबर प्रोफाइल स्ट्रक्चर, NA, इत्यादी लक्षात घेण्यासाठी सानुकूलित केली जाऊ शकते.

200 अंशांवर कमाल कार्यरत तापमान

कोटिंग म्हणून polyacrylic राळ

पॅरामीटर

HTMF

HTHF

HTSF

क्लॅडिंग व्यास (उम)

५०±२.५

६२.५±२.५

-
क्लॅडिंग व्यास (उम)

१२५±१.०

१२५±१.०

१२५±१.०

क्लॅडिंग नॉन-सर्कुलरिटी (%)

≤1

≤1

≤1

कोर / क्लेडिंग एकाग्रता (उम)

≤2

≤2

≤0.8

कोटिंग व्यास (उम)

२४५±१०

२४५±१०

२४५±१०

कोटिंग / क्लॅडिंग एकाग्रता (उम)

≤१२

≤१२

≤१२

संख्यात्मक छिद्र (NA)

०.२००±०.०१५

०.२७५±०.०१५

-
मोड फील्ड व्यास (um) @1310nm

-

-

९.२±०.४

मोड फील्ड व्यास (um) @1550nm

-

-

10.4±0.8

बँडविड्थ(MHz.km) @850nm

≥३००

≥१६०

-
बँडविड्थ(MHz.km) @1300nm

≥३००

≥३००

-
प्रूफ टीट पातळी (kpsi)

100

100

100

ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी (°C)

-55 ते +200

-55 ते +200

-55 ते +200

अल्पकालीन (°C)(दोन दिवसात)

200

200

200

दीर्घकालीन (°C)

150

150

150

क्षीणन (dB/km) @1550nm

-

-

≤0.25

क्षीणन (dB/किमी)

≤0.7 @1300nm

≤0.8 @1300nm

≤0.35@1310nm
क्षीणन (dB/km) @850nm

≤2.8

≤३.०

-
कटऑफ तरंगलांबी

-

-

≤ 1290nm

350 अंशांवर कमाल कार्यरत तापमान

कोटिंग म्हणून पॉलिमाइड
पॅरामीटर HTMF HTHF HTSF
क्लॅडिंग व्यास (उम) ५०±२.५ ६२.५±२.५ -
क्लॅडिंग व्यास (उम) १२५±१.० १२५±१.० १२५±१.०
क्लॅडिंग नॉन-सर्कुलरिटी(%) ≤1 ≤1 ≤1
कोर / क्लेडिंग एकाग्रता (उम) ≤2.0 ≤2.0 ≤0.8
कोटिंग व्यास (उम) १५५±१५ १५५±१५ १५५±१५
कोटिंग / क्लॅडिंग एकाग्रता (उम) 10 10 10
संख्यात्मक छिद्र (NA) ०.२००±०.०१५ ०.२७५±०.०१५ -
मोड फील्ड व्यास (um) @1310nm - - ९.२±०.४
मोड फील्ड व्यास (um) @1550nm - - 10.4±0.8
बँडविड्थ(MHz.km) @850nm ≥३०० ≥१६० -
बँडविड्थ(MHz.km) @1300nm ≥३०० ≥३०० -
प्रूफ टीट पातळी (kpsi) 100 100 100
ऑपरेटिंग तापमान श्रेणी (°C) -५५ ते+३५० -५५ ते+३५० -५५ ते+३५०
अल्पकालीन (°C)(दोन दिवसात) 350 350 350
दीर्घकालीन (°C) 300 300 300
क्षीणन (dB/km) @1550nm - - ०.२७
क्षीणन (dB/किमी) ≤1.2 @1300nm ≤1.4@1300nm ≤0.45@1310nm
क्षीणन (dB/km) @850nm ≤३.२ ≤३.७ -
कटऑफ तरंगलांबी - - ≤1290 nm

क्षीणन चाचणी, 35cm बाय 1 ~ 2g टेन्शनपेक्षा मोठ्या व्यासाच्या डिस्कवर फायबर वाइंडिंग


  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश इथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा